История исследований полупроводников
1782 - Алессандро Вольта вводит термин полупроводник
1833 - Майкл Фарадей проводит опыты с сульфидом серебра, исследуя зависимость роста проводимости полупроводников от повышения температуры.
1834 - Английский ученый Гаррис показал, что проводимость воздуха не изменяется при нагревании.
1837 - Майкл Фарадей наблюдает увеличение проводимости при повышении температуры у фторида свинца
1839 - Французский ученый Александр Эдмон Беккерель установил фотовольтаический эффект - возможность генерации напряжения при освещении перехода между электролитом и веществом.
1851 - Иоганн Вильгельм Гитторф впервые провёл количественные измерения зависимости проводимостей полупроводников(сульфидов меди и серебра) от температуры, пытался объяснить выявленный необычный рост электролитическими процессами.
1873 - Мэй заметил, что при освещении селен изменяет свою электропроводность (т.н. "внутренний фотоэффект"), о чем он сообщил Уиолби Смиту и тот опубликовал это сообщение.
1879 - Эдвин Герберт Холл открыл гальваномагнитный эффект в полупроводнике с током, помещенном в магнитное поле, позже называемым «эффектом Холла».
1887 - Генрих Рудольф Герц обнаружил внешний фотоэффект в полупроводниках. Поскольку такими "замечательными" свойствами ни металлы, ни диэлектрики не обладали, сфера исследований свойств полупроводников была значительно расширена.
1897 - Джозеф Джон Томсон открыл электрон.
1906 - Исследовательские работы Карла Фердинанда Брауна (Германия) по проводимости различных полупроводников. Американский генерал Генри Харрисон Чейз Денвуди (США) предлагает первую конструкцию кристаллического детектора "корборунд - стальная игла". В том же году Гринлиф Уиттер Пиккард предлагает первый кристаллический детектор на базе кремния: кремний в контакте с металлической проволокой.
1914 - Вальтер Шоттки (Германия) открывает явление уменьшение работы выхода электронов из твёрдых тел (возрастание тока насыщения термоэлектронной эмиссии, уменьшение энергии поверхностной ионизации) под действием внешнего ускоряющего электрического поля ("эффект Шоттки") и разрабатывает теорию этого эффекта.
1922 (13 января) - О.В.Лосев (СССР) осуществляет генерацию и усиление высокочастотных электромагнитных колебаний на отрицательном дифференциальном сопротивлении, созданном точечным контактом металла с полупроводником.
1923 - О.В.Лосев (СССР) открывает явление электролюминесценции, обнаруживая свечение карборунда при прохождении через него электрического тока. Повторное открытие явления, спустя 20 лет, сделает физик Дестрио (США), признав приоритет открытия Лосева ("Losev-light").
1924 - Журналы "Radio News" и "Radio-Revue" (США) публикуют статьи, посвященные работам Лосева.
1926 - Дж.Лилиенфельд (США) впервые формулирует принцип полевого эффекта в своем патенте, однако предложенные Лилиенфельдом транзисторы не внедряются в производство. Я.И.Френкель (СССР) вводит понятие о подвижных дырках ("дырочная проводимость").
1929 - Э. Меррит обнаруживает полупроводниковые свойства у германия. 1930г. А. Вильсон создает теорию полупроводников, вводит представление о "донорной" и "акцепторной" проводимости. Г. Дембер открывает явление возникновения фотоэдс в полупроводнике (эффект Дембера). К. Вагнер обнаруживает существование двух типов полупроводников - электронных и дырочных. П. Дирак предлагает теорию "дырок" в полупроводниках. Я.И.Френкель (СССР) предсказывает экситон. Я.И.Френкель (СССР) отмечает, что протекание тока через тонкую изолирующую прослойку, разделяющую два полупроводника, может быть обусловлено туннелированием, которое рассматривается как квантовое явление. Залиг и Тешнер (Франция) впервые рассматривают возможность использования полевого транзистора для управления сигналами большой мощности, причем Тернер предлагает так называемый "гридистор" (по принципу триодной электронной лампы, но твердотельный), а Зулиг - "многоканальный полевой транзистор", имеющий вертикальную структуру, которую впоследствии будет иметь почти каждый мощный полевой транзистор. Вальтер Шоттки (Германия) рассматривает пустые узлы кристаллической решетки, образованные, в отличие от дефектов Френкеля (дислоцированные атомы), без появления атомов в междоузлиях ("дефекты Шоттки").
1931 - Публикация А.Ф. Иоффе (СССР) "Полупроводники - новые материалы электроники". Уилсон (Англия) создает теоретическую модель полупроводника на основе дискретных энергетических уровней электронов отдельных атомов, которые размываются в непрерывные зоны, разделенные запрещенными зонами (значения энергии, которые электроны не могут принимать). Модель формулируется как "зонная теория полупроводников".
1932 - Исследования В.П.Жузе и Б.В.Курчатова (СССР) собственной и примесной проводимости полупроводников. А.Ф.Иоффе и Я.И.Френкель (СССР) создают теорию выпрямления тока на контакте "металл-полупроводник", основанную на явлении туннелирования.
1934 - Развитие В. Гейзенбергом теории "дырок", предложенной ранее П.Дираком.
1935 - Изобретатель О.Хейл (Англия), получает патент на полевой транзистор - прототип полевого транзистора с изолированным затвором.
1936 - Я.И.Френкель (СССР) разрабатывает теорию экситонов в полупроводниках.
1937 - А.Ф.Иоффе (СССР) формулирует механизм выпрямления на границе полупроводника с металлом и полупроводником. X.Крамерс дополняет предложенную ранее П.Дираком и развитую В.Гейзенбергом теорию "дырок" в полупроводниках.
1938 - Независимо друг от друга, Мотт (Англия), Б.И.Давыдов (СССР) и Вальтер Шоттки (Германия), формулируют теорию выпрямляющего действия контакта металл-полупроводник.
1939 - Вальтер Шоттки (Германия) исследует свойства потенциального барьера, возникающего в приконтактном слое полупроводника, граничащем с металлом (граница "металл-полупроводник") и разрабатывает основы теории полупроводниковых диодов с таким барьером (диоды Шоттки). Б.И.Давыдов разрабатывает первую диффузионную теорию выпрямляющего p-n гетероперехода.
1941 - В.И.Лашкарев (Украина, в составе СССР) открывает p-n переход и механизм инжекции носителей.
1942 - В СССР начинается промышленный выпуск полупроводниковых термоэлектрических генераторов для непосредственного преобразования тепловой энергии в электрическую энергию.
1946 - Физик В.Е.Лошкарев (СССР) открывает биполярную диффузию неравновесных носителей тока в полупроводниках.
1947 (16 декабря) - Изобретение первого в мире транзистора (точечный, на базе германия) в лаборатории фирмы Bell Telephone Laboratories (теоретик Джон Бардин и экспериментатор Уолтер Браттейн //США) (23 декабря) Демонстрация первого в мире транзистора в лаборатории фирмы Bell Telephone Laboratories. (23-31 декабря) У.Шокли создает теорию инжекции в транзисторе с p-n переходами, изобретает плоскостной p-n-p транзистор.
1948 (январь) - У.Шокли публикует теорию плоскостных биполярных транзисторов. (июнь) Демонстрация работы первого точечного транзистора в схеме радиоприемника фирмой Bell Telephone Laboratories в Нью-йоркской штаб-квартире (Wall Street, 463). (июль) Публикация в журнале "The Physical Review" о первом транзисторе фирмы Bell Telephone Laboratories, разработанном Д.Бардином и У.Браттейном и названном как "точечный транзистор типа А".
1949 - У.Шокли разрабатывает теорию p-n-перехода (теория Шокли).
1950 - Фирма Texas Instruments решает проблему выращивания монокристаллического кремния. Открытие полупроводниковых свойств материалов типа АIIIВV исследователями Н. А. Горюновой, Р. Регелем (СССР) и Г.Велькером, независимо друг от друга. Дж. Бардин и У. Шокли вводят представление о потенциале деформации применительно к полупроводникам. А.И.Губанов (СССР) впервые теоретически проанализировал вольтамперные характеристики изотипных и анизотипных гетеропереходов.