Гетероструктуры типов I и II (type-I and type-II heterostructures)

 

    Гетероструктура - слоистая структура, образованная при тесном контакте двух и более разнородных полупроводников, различающихся шириной запрещенных зон, постоянной кристаллической решетки и другими параметрами. В силу квантово-размерных эффектов в слое толщиной от 1 до 50 нм носители заряда располагаются на дискретных энергетических уровнях подобно электронам и дыркам в квантовых точках. Проявление эффекта размерного квантования в гетероструктурах позволяет создавать электронные устройства с повышенным быстродействием и информационной емкостью, российский ученый Ж.И.Алферов отмечен Нобелевской премией за работу по физике гетероструктур.

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Под ред. Л.Ченга, К.Плога. М., Мир, 1989.